什么是CMP化學機械拋光
所屬分類:行業資訊 發布時間:2021-03-23
化學機械拋光通常稱為 CMP (Chemical Mechanical Polishing)。這個過程是晶圓表面用含有磨料的CMP漿料進行化學機械拋光,這些拋光液一般含有活性化學制劑。
為什么叫化學機械拋光?因為整個拋光過程中,機械拋光和化學腐蝕同時起作用,拋光作用部分是機械研磨的,部分是化學腐蝕的。化學作用腐蝕晶圓表面,然后通過拋光設備向被拋元件施加機械壓力,機械研磨帶走腐蝕的表面材料,從而提高材料去除率。根據被拋光材料的特性,新創納會量身定做各種cmp拋光液。

化學機械拋光應用
新創納生產的CMP化學機械拋光液用途廣泛,專為精度要求高、表面質量至關重要的拋光應用而設計。
我們CMP拋光液可根據客戶不同的拋光墊、拋光機等定制,個性化的滿足您的特殊需求。
可使用 CMP 拋光的具體應用領域主要包括:
硅片拋光Cmp
金屬表面拋光,包括不銹鋼拋光、鋁板鋁合金拋光
氮氧化硅、氧化物的拋光
藍寶石SA、氮化鎵GaN和碳化硅SiC晶圓的拋光
LED芯片的背面減薄拋光
氧化鋁拋光液
化學機械拋光解決方案
新創納的化學機械拋光液可為最大直徑達 300mm 的晶圓提供納米級材料去除功能,并可用于目前設備制造過程中使用的各種晶圓/基板材料。
它們達到CMP化學機械拋光的行業控制和去除標準,并產生較好的表面質量(0/0 scratch dig),通過工藝改進,還可以達到Ra亞納米水平。
我們的CMP化學機械拋光的進一步功能和優勢包括:
拋光過程中的工藝調節
處理超硬材料和軟材料
適合各種晶圓尺寸
可用的高向下負載設置
后壓力設置,以獲得更好的結果
根據實時監控的拋光效果調節拋光工藝